Apacer NOX SO-DIMM DDR4 8Gb 2800 МГц модуль оперативной памяти (ES.08G2W.GFE)

Apacer NOX SO-DIMM DDR4 8Gb 2800 МГц модуль оперативной памяти (ES.08G2W.GFE)
Увеличить
Модуль оперативной памяти Apacer NOX типа SO-DIMM DDR4 идеально подходит для игрового ноутбука и высокопроизводительной мини-системы. Предоставляет качество работы, надежность и производительность. Благодаря низкому напряжению (1,2 В), снижается потребление энергии, что обеспечивает снижение нагрева и бесшумную работу ноутбука.Объем памяти в 8 ГБ позволит свободно работать со стандартными, офисными и профессиональными ресурсоемкими программами, а также современными требовательными играми. Работа модуля осуществляется при тактовой частоте 2800 МГц и пропускной способности, достигающей до 22400 Мб/с, что гарантирует качественную синхронизацию и быструю передачу данных, а также возможность выполнения множества действий в единицу времени. Параметры тайминга 17-18-18-38 гарантируют быструю работу системы.

Вес: 65
Ширина упаковки: 170
Высота упаковки: 20
Глубина упаковки: 170
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR4
Частота: 2800 МГц
Стандарт памяти: PC4-22400 (2800 МГц)
Емкость одного модуля: 8 ГБ
Суммарный объем памяти: 8 ГБ
Форм-фактор: SO-DIMM 260-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 17 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 18 тактов
tRP (время подзарядки строки): 18 тактов
tRAS (время активности строки): 38 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL

Kingston DDR3 4GB 1600 МГц модуль оперативной памяти (KVR16N11S8/4)

Kingston DDR3 4GB 1600 МГц модуль оперативной памяти (KVR16N11S8/4)
Увеличить
Модуль оперативной памяти Kingston типа DDR3 обеспечивает увеличенную рабочую частоту (по сравнению с DDR2) при сниженном тепловыделении и экономном энергопотреблении. Напряжение питания при работе составляет 1,5 В. В модуле также имеется 8 чипов с односторонним расположением.Объем памяти 4 ГБ позволит свободно работать со стандартными, офисными и ресурсоемкими программами, а также современными нетребовательными играми. Работа осуществляется при тактовой частоте 1600 МГц и пропускной способности, достигающей до 12800 Мб/с, что гарантирует качественную синхронизацию и быструю передачу данных, а также возможность выполнения множества действий в единицу времени. Параметры тайминга 11-11-11 не принижают скорости работы системы.ValueRAM Kingston - это модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston.

Вес: 25
Ширина упаковки: 50
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 160
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Цвет: зеленый
Тип памяти: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800 (1600 МГц)
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Форм-фактор: DIMM 240-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 11 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 11 тактов
tRP (время подзарядки строки): 11 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.5 В
Комплектация: OEM

Kingston HyperX Fury DDR3 8GB 1600 МГц, Black модуль оперативной памяти (HX316C10FB/8)

Kingston HyperX Fury DDR3 8GB 1600 МГц, Black модуль оперативной памяти (HX316C10FB/8)
Увеличить
Модуль памяти Kingston HyperX FURY DDR3 автоматически разгоняется до максимальной заявленной частоты, а простота иавтоматическая конфигурируемость позволяют быстрее включаться в игру и мгновенно выходить на высочайшие скорости, необходимые для победы. Благодаря низкому напряжению (от 1,35 В) потребляется меньше энергии и выделяется меньше тепла, при этом поддерживаются новые чипсеты Intel 100 Series. Ассиметричный и агрессивный дизайн модуля, а также высококачественный алюминий и граненая отделка позволят вам выделиться среди стандартных квадратных конструкций.

Вес: 50
Ширина упаковки: 60
Высота упаковки: 15
Глубина упаковки: 170
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Цвет: черный
Тип памяти: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800 (1600 МГц)
Емкость одного модуля: 8 ГБ
Суммарный объем памяти: 8 ГБ
tCL (задержка сигнала CAS): 10 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 10 тактов
tRP (время подзарядки строки): 10 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Поддерживаемые многоканальные режимы: Двухканальный
Напряжение питания: 1.5 В
Комплектация: RTL
Особенности памяти: Радиатор

Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8Gb 2400 МГц комплект модулей оперативной памяти (CMK16GX4M2A2400C16)

Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8Gb 2400 МГц комплект модулей оперативной памяти (CMK16GX4M2A2400C16)
Увеличить
Модули памяти Vengeance LPX разработаны для более эффективного разгона процессора. Теплоотвод выполнен из чистого алюминия, что ускоряет рассеяние тепла, а восьмислойная печатная плата значительно эффективнее распределяет тепло и предоставляет обширные возможности для разгона. Каждая интегральная микросхема проходит индивидуальный отбор для определения уровня потенциальной производительности.Форм-фактор DDR4 оптимизирован под новейшие материнские платы серии Intel X99/100 Series и обеспечивает повышенную частоту, расширенную полосу пропускания и сниженное энергопотребление по сравнению с модулями DDR3. В целях обеспечения стабильно высокой производительности модули Vengeance LPX DDR4 проходят тестирование совместимости на материнских платах серии X99/100 Series. Имеется поддержка XMP 2.0 для удобного разгона в автоматическом режиме.Максимальная степень разгона ограничивается рабочей температурой. Уникальный дизайн теплоотвода Vengeance LPX обеспечивает оптимальный отвод тепла от интегральных микросхем в канал охлаждения системы, чтобы вы могли добиться большего.Vengeance LPX будет готов к появлению первых материнских плат Mini-ITX и MicroATX для памяти DDR4. Его компактный форм-фактор оптимально подходит для размещения в небольших корпусах или в системах, где требуется оставить свободным максимум внутреннего пространства.

Вес: 115
Ширина упаковки: 100
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 160
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR4
Частота: 2400 МГц
Стандарт памяти: PC4-19200 (2400 МГц)
Емкость одного модуля: 8 ГБ
Суммарный объем памяти: 16 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 16 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 16 тактов
tRP (время подзарядки строки): 16 тактов
tRAS (время активности строки): 39 тактов
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL
Особенности памяти: Поддержка Intel XMP,Радиатор

Corsair ValueSelect DDR4 8Gb 2133 МГц модуль оперативной памяти (CMV8GX4M1A2133C15)

Corsair ValueSelect DDR4 8Gb 2133 МГц модуль оперативной памяти (CMV8GX4M1A2133C15)
Увеличить
Модули памяти Corsair ValueSelect DDR4 разработаны для опережения отраслевых стандартов, чтобы гарантировать максимальную совместимость практически со всеми ПК Intel 6-го поколения. Они собраны из лучших компонентов и тщательно проверены для обеспечения стабильной и надежной работы.

Вес: 40
Ширина упаковки: 120
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 180
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR4
Частота: 2133 МГц
Стандарт памяти: PC4-17000 (2133 МГц)
Емкость одного модуля: 8 ГБ
Суммарный объем памяти: 8 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 15 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 15 тактов
tRP (время подзарядки строки): 15 тактов
tRAS (время активности строки): 36 тактов
Поддерживаемые многоканальные режимы: Двухканальный
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL

Kingston HyperX Fury DDR4 DIMM 4GB 2400МГц модуль оперативной памяти (HX424C15FB/4)

Kingston HyperX Fury DDR4 DIMM 4GB 2400МГц модуль оперативной памяти (HX424C15FB/4)
Увеличить
Модуль памяти HyperX FURY DDR4 автоматически разгоняется до максимальной заявленной частоты и обеспечивает максимальную производительность для системных плат с чипсетами Intel серии 100 и X99. Это недорогое решение для использования с 2-, 4-, 6- и 8-ядерными процессорами Intel повышает скорость редактирования видео, 3D-рендеринга, компьютерных игр и AI-процессинга. Его стильный низкопрофильный теплоотвод с характерным дизайном FURY сразу подчеркнет оригинальный внешний вид вашей системы.HyperX FURY DDR4 - это первая линейка продукции, предлагающая автоматический разгон до максимальной заявленной частоты. Получите максимальную скорость без необходимости ручной настройки.Низкое энергопотребление HyperX FURY DDR4 обеспечивает пониженное выделение тепла и высокую надежность. Благодаря низкому напряжению (1,2 В), снижается потребление энергии, что обеспечивает отсутствие нагрева и бесшумную работу ПК.Выделитесь из толпы и придайте своей системе стиль, добавив в нее культовый асимметричный теплоотвод FURY. Модуль памяти FURY DDR4, предлагаемый в черном цвете с черной печатной платой, дополняет системную плату с чипсетами Intel серии 100 и X99.Параметры XMP:JEDEC/PnP: DDR4-2400 CL15-15-15 @1.2V; DDR4-2133 CL14-14-14 @1.2VXMP Profile #1: DDR4-2400 CL15-15-15 @1.2V

Вес: 50
Ширина упаковки: 60
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 170
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR4
Частота: 2400 МГц
Стандарт памяти: PC4-19200 (2400 МГц)
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 15 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 15 тактов
tRP (время подзарядки строки): 15 тактов
tRAS (время активности строки): 29 тактов
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL
Особенности памяти: Низкопрофильная,Поддержка Intel XMP,Радиатор

Patriot DDR3 SO-DIMM 4GB 1600МГц модуль оперативной памяти (PSD34G160081S), Patriot Memory

Patriot DDR3 SO-DIMM 4GB 1600МГц модуль оперативной памяти (PSD34G160081S), Patriot Memory
Увеличить
Небуферезированная память Patriot DDR3 SO-DIMM PSD34G160081S предоставляет качество работы, надежность и производительность, требуемую для современных ноутбуков сегодня. Этот модуль емкостью 4 ГБ, спроектирован для работы на частоте 1600 МГц PC3-12800 при таймингах CAS 11. Модуль собран при использовании специальных компонентов.

Вес: 15
Ширина упаковки: 50
Высота упаковки: 20
Глубина упаковки: 170
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800 (1600 МГц)
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Форм-фактор: SO-DIMM 204 pin
tCL (задержка сигнала CAS): 11 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.5 В
Комплектация: RTL

Transcend DDR3 SO-DIMM 4GB 1066МГц модуль оперативной памяти (TS512MSK64V1N)

Transcend DDR3 SO-DIMM 4GB 1066МГц модуль оперативной памяти (TS512MSK64V1N)
Увеличить
Миниатюрные размеры модуля памяти Transcend DDR3 SODIMM 4GB делают его подходящим для использования в ноутбуках. Частота 1066 МГц обеспечивает его высокую производительность (этот параметр легко можно отследить с помощью стандартного теста, проведенного любой операционной системой). Установка проста, не занимает много времени и не требует от вас наличия специальных знаний и умений. Модуль изготовлен из высококачественного текстолита, благодаря чему обладает очень высокой прочностью и долговечностью.

Вес: 15
Ширина упаковки: 45
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 110
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR3
Частота: 1066 МГц
Стандарт памяти: PC3-8500 (1066 МГц)
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Форм-фактор: SO-DIMM 204 pin
tCL (задержка сигнала CAS): 7 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 7 тактов
tRP (время подзарядки строки): 7 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.5 В

Transcend DDR3 DIMM 2GB 1333МГц модуль оперативной памяти

Transcend DDR3 DIMM 2GB 1333МГц модуль оперативной памяти
Увеличить
Модуль памяти Transcend DDR3 DIMM 2GB построены с использованием чипов наивысшего качества DRAM от известных брендов и проходят тщательные испытания, чтобы гарантировать соответствие строгим требованиям Transcend к общему качеству и производительности. Небуферизованные модули DIMM Transcend DDR3 являются наиболее стабильными и надежными в отрасли, что также делает их экономичным решением для всех настольных компьютеров.Количество ранков: 2

Вес: 25
Ширина упаковки: 50
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 160
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR3
Частота: 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3-10600 (1333 МГц)
Емкость одного модуля: 2 ГБ
Суммарный объем памяти: 2 ГБ
Форм-фактор: SO-DIMM 204 pin
tCL (задержка сигнала CAS): 9 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 9 тактов
tRP (время подзарядки строки): 9 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.5 В

Crucial ECC Reg Dual Rank DDR4 16GB 2400МГц модуль оперативной памяти

Crucial ECC Reg Dual Rank DDR4 16GB 2400МГц модуль оперативной памяти
Увеличить
Модуль оперативной памяти Crucial CT16G4RFD424A прекрасно подойдет для серверов, которые нуждаются в оперативной памяти с высокой производительностью. По сравнению с DDR3, оперативная память DDR4 предлагает удвоенную пропускную способность, при этом потребляя меньше питания (1.2 В). Crucial CT16G4RFD424A совместима с процессорами Intel семейства Xeon Е3-1200 V3 и е5-2600 V3.DDR4 обеспечивает повышенную производительность, увеличенную емкость DIMM, улучшенную целостность данных и пониженное энергопотребление.В дополнение к оптимизированной производительности и более низкому энергопотреблению DDR4 также выполняет циклические проверки с избыточностью (CRC) для обеспечения повышенной надежности хранения данных, имеет встроенную функцию контроля нарушения четности для проверки целостности передачи команд и адресов, обеспечивает повышенную целостность сигнала и другие функции RAS.

Вес: 35
Ширина упаковки: 60
Высота упаковки: 20
Глубина упаковки: 180
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR4
Частота: 2400 МГц
Стандарт памяти: PC4-19200 (2400 МГц)
Емкость одного модуля: 16 ГБ
Суммарный объем памяти: 16 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 17 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Registered
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL

Kingmax DDR4 8Gb 2133 МГц модуль оперативной памяти

Kingmax DDR4 8Gb 2133 МГц модуль оперативной памяти
Увеличить
Небуферезированная память Kingmax DDR4 предоставляет качество работы, надежность и производительность, требуемую для современных ПК сегодня. Объем модуля памяти в 8 ГБ позволит свободно работать со стандартными, офисными и профессиональными ресурсоемкими программами, а также современными требовательными играми. Работа осуществляется при тактовой частоте 2133 МГц и пропускной способности, достигающей до 17000 Мб/с, что гарантирует качественную синхронизацию и быструю передачу данных, а также возможность выполнения множества действий в единицу времени. Тайминг CL-15 гарантирует быструю работу системы.

Вес: 35
Ширина упаковки: 60
Высота упаковки: 20
Глубина упаковки: 170
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR4
Частота: 2133 МГц
Стандарт памяти: PC4-17000 (2133 МГц)
Емкость одного модуля: 8 ГБ
Суммарный объем памяти: 8 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 15 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL

Crucial Ballistix Sport LT DDR4 4х4Gb 2400 МГц, Gray комплект модулей оперативной памяти (BLS4C4G4D240FSB)

Crucial Ballistix Sport LT DDR4 4х4Gb 2400 МГц, Gray комплект модулей оперативной памяти (BLS4C4G4D240FSB)
Увеличить
Комплект модулей оперативной памяти Crucial Ballistix Sport LT типа DDR4 обеспечивает увеличенную рабочую частоту (по сравнению с предыдущем поколением) при сниженном тепловыделении и экономном энергопотреблении. Благодаря низкому напряжению (1,2 В), снижается потребление энергии, что обеспечивает отсутствие нагрева и бесшумную работу ПК. Теплоотвод выполнен из чистого алюминия, что ускоряет рассеяние тепла.Общий объем памяти в 16 ГБ позволит свободно работать со стандартными, офисными и профессиональными ресурсоемкими программами, а также современными требовательными играми. Работа осуществляется при тактовой частоте 2400 МГц и пропускной способности, достигающей до 19200 Мб/с, что гарантирует качественную синхронизацию и быструю передачу данных, а также возможность выполнения множества действий в единицу времени. Параметры тайминга 16-16-16-39 гарантируют быструю работу системы. Имеется поддержка XMP 2.0 для удобного разгона в автоматическом режиме.

Вес: 185
Ширина упаковки: 130
Высота упаковки: 20
Глубина упаковки: 170
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Цвет: серый
Тип памяти: DDR4
Частота: 2400 МГц
Стандарт памяти: PC4-19200 (2400 МГц)
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Суммарный объем памяти: 16 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 16 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 16 тактов
tRP (время подзарядки строки): 16 тактов
tRAS (время активности строки): 39 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Поддерживаемые многоканальные режимы: Двухканальный,Четырехканальный
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL
Особенности памяти: Поддержка Intel XMP,Радиатор

AMD Radeon R7 DDR4 4GB 2133MHz модуль оперативной памяти (R744G2133U1S-UO)

AMD Radeon R7 DDR4 4GB 2133MHz модуль оперативной памяти (R744G2133U1S-UO)
Увеличить
Расширьте возможности имеющегося оборудования путем простого и экономичного обновления памяти от AMD.Работаете ли вы в Интернете, смотрите ли потоковое видео в потрясающем HD-качестве или играете в самые требовательные видеоигры - память AMD Radeon настроена на обеспечение максимальной производительности процессора, что является залогом быстрой и невероятно плавной работы ПК.Модуль памяти AMD Radeon R7 относится к оперативной памяти четвертого поколения, имеющей синхронный динамический алгоритм произвольного доступа и вдвое большую скорость передачи данных. Обладает увеличенной пропускной способностью и уменьшенным выделением тепла, что улучшает энергосбережение.В данной модели присутствует такой параметр как CL15, который означает латентность. Это главная характеристика для таймингов, обозначающая количество тактов, которые необходимы при направлении данных в шину.

Вес: 25
Ширина упаковки: 40
Высота упаковки: 20
Глубина упаковки: 140
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR4
Частота: 2133 МГц
Стандарт памяти: PC4-17000 (2133 МГц)
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 15 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 15 тактов
tRP (время подзарядки строки): 15 тактов
tRAS (время активности строки): 36 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: OEM
Особенности памяти: Поддержка Intel XMP

Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8Gb 2666 МГц, Black комплект модулей оперативной памяти (CMK16GX4M2Z2666C16)

Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8Gb 2666 МГц, Black комплект модулей оперативной памяти (CMK16GX4M2Z2666C16)
Увеличить
Модули памяти Vengeance LPX разработаны для более эффективного разгона процессора. Теплоотвод выполнен из чистого алюминия, что ускоряет рассеяние тепла, а восьмислойная печатная плата значительно эффективнее распределяет тепло и предоставляет обширные возможности для разгона. Каждая интегральная микросхема проходит индивидуальный отбор для определения уровня потенциальной производительности.Форм-фактор DDR4 оптимизирован под новейшие материнские платы серии Intel X99/100 Series и обеспечивает повышенную частоту, расширенную полосу пропускания и сниженное энергопотребление по сравнению с модулями DDR3. В целях обеспечения стабильно высокой производительности модули Vengeance LPX DDR4 проходят тестирование совместимости на материнских платах серии X99/100 Series. Имеется поддержка XMP 2.0 для удобного разгона в автоматическом режиме.Максимальная степень разгона ограничивается рабочей температурой. Уникальный дизайн теплоотвода Vengeance LPX обеспечивает оптимальный отвод тепла от интегральных микросхем в канал охлаждения системы, чтобы вы могли добиться большего.Vengeance LPX будет готов к появлению первых материнских плат Mini-ITX и MicroATX для памяти DDR4. Его компактный форм-фактор оптимально подходит для размещения в небольших корпусах или в системах, где требуется оставить свободным максимум внутреннего пространства.

Вес: 100
Ширина упаковки: 100
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 150
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Цвет: черный
Тип памяти: DDR4
Частота: 2666 МГц
Стандарт памяти: PC4-21300 (2666 МГц)
Емкость одного модуля: 8 ГБ
Суммарный объем памяти: 16 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 16 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 18 тактов
tRP (время подзарядки строки): 18 тактов
tRAS (время активности строки): 35 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Поддерживаемые многоканальные режимы: Двухканальный,Четырехканальный
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL
Особенности памяти: Низкопрофильная,Поддержка Intel XMP,Радиатор

AMD Radeon R7 DDR4 2x4GB 2133MHz модуль оперативной памяти (R748G2133U1K)

AMD Radeon R7 DDR4 2x4GB 2133MHz модуль оперативной памяти (R748G2133U1K)
Увеличить
Модуль памяти AMD Radeon R7 относится к оперативной памяти четвертого поколения, имеющей синхронный динамический алгоритм произвольного доступа и вдвое большую скорость передачи данных. Обладает увеличенной пропускной способностью и уменьшенным выделением тепла, что улучшает энергосбережение.В данной модели присутствует такой параметр как CL15, который означает латентность. Это главная характеристика для таймингов, обозначающая количество тактов, которые необходимы при направлении данных в шину.

Вес: 105
Ширина упаковки: 120
Высота упаковки: 20
Глубина упаковки: 190
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR4
Частота: 2133 МГц
Стандарт памяти: PC4-17000 (2133 МГц)
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Суммарный объем памяти: 8 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 15 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 15 тактов
tRP (время подзарядки строки): 15 тактов
tRAS (время активности строки): 36 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL
Особенности памяти: Поддержка Intel XMP,Радиатор

Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16Gb 2133 МГц, Black комплект модулей оперативной памяти (CMK32GX4M2A2133C13)

Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16Gb 2133 МГц, Black комплект модулей оперативной памяти (CMK32GX4M2A2133C13)
Увеличить
Модули памяти Vengeance LPX разработаны для более эффективного разгона процессора. Теплоотвод выполнен из чистого алюминия, что ускоряет рассеяние тепла, а восьмислойная печатная плата значительно эффективнее распределяет тепло и предоставляет обширные возможности для разгона. Каждая интегральная микросхема проходит индивидуальный отбор для определения уровня потенциальной производительности.Форм-фактор DDR4 оптимизирован под новейшие материнские платы серии Intel X99/100 Series и обеспечивает повышенную частоту, расширенную полосу пропускания и сниженное энергопотребление по сравнению с модулями DDR3. В целях обеспечения стабильно высокой производительности модули Vengeance LPX DDR4 проходят тестирование совместимости на материнских платах серии X99/100 Series. Имеется поддержка XMP 2.0 для удобного разгона в автоматическом режиме.Максимальная степень разгона ограничивается рабочей температурой. Уникальный дизайн теплоотвода Vengeance LPX обеспечивает оптимальный отвод тепла от интегральных микросхем в канал охлаждения системы, чтобы вы могли добиться большего.Vengeance LPX будет готов к появлению первых материнских плат Mini-ITX и MicroATX для памяти DDR4. Его компактный форм-фактор оптимально подходит для размещения в небольших корпусах или в системах, где требуется оставить свободным максимум внутреннего пространства.

Вес: 100
Ширина упаковки: 100
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 150
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Цвет: черный
Тип памяти: DDR4
Частота: 2133 МГц
Стандарт памяти: PC4-17000 (2133 МГц)
Емкость одного модуля: 16 ГБ
Суммарный объем памяти: 32 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 13 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 15 тактов
tRP (время подзарядки строки): 15 тактов
tRAS (время активности строки): 28 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Поддерживаемые многоканальные режимы: Двухканальный
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL
Особенности памяти: Поддержка Intel XMP,Радиатор

Corsair ValueSelect SO-DIMM DDR3L 4Gb 1600 МГц модуль оперативной памяти (CMSO4GX3M1C1600C11)

Corsair ValueSelect SO-DIMM DDR3L 4Gb 1600 МГц модуль оперативной памяти (CMSO4GX3M1C1600C11)
Увеличить
Модуль памяти Corsair ValueSelect SO-DIMM DDR3L разработан для опережения отраслевых стандартов, чтобы гарантировать максимальную совместимость практически со всеми ноутбуками на Intel и AMD. Он собран из лучших компонентов и тщательно проверен для обеспечения стабильной и надежной работы.

Вес: 25
Ширина упаковки: 100
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 140
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR3L
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800 (1600 МГц)
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Форм-фактор: SO-DIMM 204 pin
tCL (задержка сигнала CAS): 11 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 11 тактов
tRP (время подзарядки строки): 11 тактов
tRAS (время активности строки): 28 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.35 В
Комплектация: RTL

Samsung DDR3 8Gb 1600 МГц модуль оперативной памяти (M378B1G73EB0-CK0)

Samsung DDR3 8Gb 1600 МГц модуль оперативной памяти (M378B1G73EB0-CK0)
Увеличить
Оперативная память Samsung DDR3 M378B1G73EB0-CK0 предоставляет качество работы, надежность и производительность - основные требования для современных компьютеров. Объем модуля памяти в 8 ГБ позволит свободно работать со стандартными, офисными и профессиональными ресурсоемкими программами, а также современными требовательными играми. Работа осуществляется при тактовой частоте 1600 МГц и пропускной способности, достигающей до 12800 Мб/с, что гарантирует качественную синхронизацию и быструю передачу данных, а также возможность выполнения множества действий в единицу времени. Тайминг CL-11 гарантирует быструю работу системы.

Вес: 25
Ширина упаковки: 40
Высота упаковки: 20
Глубина упаковки: 140
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR3
Частота: 1600 МГц
Стандарт памяти: PC3-12800 (1600 МГц)
Емкость одного модуля: 8 ГБ
Суммарный объем памяти: 8 ГБ
Форм-фактор: DIMM 240-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 11 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.5 В
Комплектация: RTL

Crucial Ballistix Tactical Tracer DDR3 4Gb 1866 МГц модуль оперативной памяти (BLT4G3D1869DT2TXOBCEU)

Crucial Ballistix Tactical Tracer DDR3 4Gb 1866 МГц модуль оперативной памяти (BLT4G3D1869DT2TXOBCEU)
Увеличить
Модуль Crucial Ballistix Tactical Tracer типа DDR3 разработан с учетом потребностей оверклокеров и требовательных геймеров. Алюминиевый радиатор модуля осуществляет теплоотвод и служит элементом агрессивного дизайна, который отлично подходит для геймерских компьютеров. Данный модуль памяти оснащен яркой светодиодной подсветкой.Модуль работает при тактовой частоте 1866 МГц и пропускной способности, достигающей до 14900 Мб/с, что гарантирует качественную синхронизацию и быструю передачу данных, а также возможность выполнения множества действий в единицу времени. Параметры тайминга 9-9-9-27 гарантируют быструю работу системы.

Вес: 80
Ширина упаковки: 130
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 170
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR3
Частота: 1866 МГц
Стандарт памяти: PC3-14900 (1866 МГц)
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Форм-фактор: DIMM 240-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 9 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 9 тактов
tRP (время подзарядки строки): 9 тактов
tRAS (время активности строки): 27 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.5 В
Цвет подсветки: оранжевый,синий
Комплектация: RTL
Особенности памяти: Поддержка Intel XMP,Радиатор,Световая индикация

Crucial Ballistix Sport XT DDR3 2x8Gb 1866 МГц комплект модулей оперативной памяти (BLS2C8G3D18ADS3CEU)

Crucial Ballistix Sport XT DDR3 2x8Gb 1866 МГц комплект модулей оперативной памяти (BLS2C8G3D18ADS3CEU)
Увеличить
Модули оперативной памяти Crucial Ballistix Sport XT типа DDR3 предоставляют качество работы, надежность и производительность, требуемую для современных компьютеров сегодня. Оснащены теплоотводом, выполненным из чистого алюминия, что ускоряет рассеяние тепла.Общий объем памяти составляет 16 ГБ, что позволит свободно работать со стандартными, офисными и профессиональными ресурсоемкими программами, а также современными требовательными играми. Работа осуществляется при тактовой частоте 1866 МГц и пропускной способности, достигающей до 14900 Мб/с, что гарантирует качественную синхронизацию и быструю передачу данных, а также возможность выполнения множества действий в единицу времени. Параметры тайминга 10-10-10-30 гарантируют быструю работу системы. Имеется поддержка XMP для удобного разгона в автоматическом режиме.

Вес: 115
Ширина упаковки: 130
Высота упаковки: 10
Глубина упаковки: 170
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR3
Частота: 1866 МГц
Стандарт памяти: PC3-14900 (1866 МГц)
Емкость одного модуля: 8 ГБ
Суммарный объем памяти: 16 ГБ
Форм-фактор: DIMM 240-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 10 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 10 тактов
tRP (время подзарядки строки): 10 тактов
tRAS (время активности строки): 30 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Поддерживаемые многоканальные режимы: Двухканальный
Напряжение питания: 1.5 В
Комплектация: RTL
Особенности памяти: Радиатор,Поддержка Intel XMP
Права на все информационные материалы принадлежат Ozon.ru, 2017